[发明专利]闪速存储器陈列无效
| 申请号： | 200410004069.8 | 申请日： | 1998-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1560874A | 公开（公告）日： | 2005-01-05 |
| 发明（设计）人： | 林天乐;沈秉尧 | 申请（专利权）人： | 积忆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C5/00;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种新型闪速存储器阵列具有存储器单元(41a，40b)的阵列，每个存储器单元是具有多个端子的浮栅存储器晶体管。该存储器单元(40a，40b)配置成多行和多列，用字线连接相同行中的存储器单元。行解码器(44)位于靠近一侧存储器阵列并连接到多个字线，用于接收地址信号和用于提供低电压信号。多个编程线(D0－D7)连接到阵列的多行存储器单元(41a，41b)，一个编程线连接到相同行中的存储器单元。该多个编程线(D0－D7)与多个字线成直线但空间分开，并且仅仅伸展到行解码器(44)。高电压发生电路(100)位于靠近阵列的另一侧，即相对的一侧，并且被连接到多个编程线(D0－D7)，用于接收地址信号和用于在此响应给多个编程线提供高电压信号。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 陈列 | ||
【主权项】：
1.一种存储器阵列，包括：配置成多行和多列之阵列的多个存储器单元；多个硅线，其由掺杂硅制成，连接到所述多行的存储器单元，同时硅线连接到相同行中的存储器单元；多个金属搭接线，每个都平行于硅线；和多个空间分开的连接器，其与每个硅线相关，用于将所述硅线电连接到其相关的金属搭接线上；其中，硅线的每个所述空间分开的连接器并不配置成与相邻硅线的空间分开连接器成相同列；其中，硅线的每个所述空间分开的连接器配置成与靠近相邻硅线之硅线的空间分开连接器成相同列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于积忆科技股份有限公司，未经积忆科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410004069.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：四冲程内燃机
- 下一篇：光盘保持件及其支承台
