[发明专利]确定集成电路的接触大小以制造多阶层接触的方法无效
| 申请号： | 200380110371.5 | 申请日： | 2003-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1802738A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | K·黑利格;M·阿明普 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成集成电路的方法(600)，包括在第一半导体衬底(202)上的半导体器件(317)上方于介电材料(322)中蚀刻第一开口(228)(338)(402)至第一深度，并且在该第一半导体衬底(202)上方于该介电材料(322)中蚀刻第二开口(230)(340)(404)至第二深度。第一及第二开口(228)(338)(402)(230)(340)(404)的大小不同，以便由于蚀刻滞后的原因而在大约相同的时间内分别蚀刻至该第一及第二深度。该第一及第二开口(228)(338)(402)(230)(340)(404)填充有导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 集成电路 接触 大小 制造 阶层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成集成电路的方法(600)，包括：在第一半导体衬底(202)上的半导体器件(213)(317)上方于介电材料(216)(322)中蚀刻第一开口(228)(338)(402)至第一深度；在所述第一半导体衬底(202)上方于所述介电材料(216)(322)中蚀刻第二开口(230)(340)(404)至第二深度，所述第一及第二开口(228)(338)(402)(230)(340)(404)的大小不同，以便由于蚀刻滞后的缘故而在大约相同的时间内分别蚀刻至所述第一及第二深度；以及用导电材料填充所述第一及第二开口(228)(338)(402)(230)(340)(404)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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