[发明专利]存储器位线漏泄修复有效
| 申请号： | 200380110290.5 | 申请日： | 2003-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1771566A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | N·陈;C·钟;M·H·萨尼 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于替换和消除引起沟道漏泄电流的通路的技术。在一个实施例中，一个或多个预充电起动晶体管和一个预充电起动信号被添加到电路结构中。预充电起动晶体管被设计成保持导通并简单地在一正常工作的通路中传递信号。在诸如IDDQ测试期间，当漏泄通路被识别出时，预充电起动信号被设置以截止预充电起动晶体管。当预充电起动晶体管为截止状态时，漏泄通路被断开，漏泄电流被停止。该通路可用一冗余通路来替换。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 漏泄 修复 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：电子电路；与所述电子电路电通信的预充电晶体管；以及连接到所述电子电路和所述预充电晶体管的预充电起动晶体管，其中，当截止时，所述预充电起动晶体管将所述电子电路从所述预充电晶体管断开，且当导通时，所述预充电起动晶体管将在所述电子电路和所述预充电晶体管之间传递信号。
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