[发明专利]调整多栅场效应晶体管操作点的电路有效

专利信息
申请号: 200380108101.0 申请日: 2003-11-26
公开(公告)号: CN1732619A 公开(公告)日: 2006-02-08
发明(设计)人: R·塔哈梅 申请(专利权)人: 因芬尼昂技术股份公司
主分类号: H03F1/00 分类号: H03F1/00;H03F3/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;陈景峻
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种放大器电路,包含一第一多栅场效应晶体管(20),具有一源极终端(26),一漏极终端(28),可接收输入信号之至少一信号栅极终端(22),及可接收控制信号的至少一控制栅极终端(24),及一第二多栅场效应晶体管(30),具有一源极终端(36),一漏极终端(38),连接至该第一多栅场效应晶体管(20)的该信号栅极终端(22)的至少一信号栅极终端(32),及连接至该第一多栅场效应晶体管(20)的该控制栅极终端(24)的至少一控制栅极终端(34),该第二多栅场效应晶体管(30)的该信号栅极终端(32)乃连接至较靠近该第二多栅场效应晶体管(30)的该信号栅极终端(32)的该第二多栅场效应晶体管(30)的该源极终端/漏极终端(36,38)。
搜索关键词: 调整 场效应 晶体管 操作 电路
【主权项】:
1.一种放大器电路,包含:一第一多栅场效应晶体管(20),具有一源极终端(26),一漏极终端(28),可接收输入信号的至少一信号栅极终端(22),及可接收控制信号的至少一控制栅极终端(24);及一第二多栅场效应晶体管(30),具有一源极终端(36),一漏极终端(38),连接至该第一多栅场效应晶体管(20)的该信号栅极终端(22)的至少一信号栅极终端(32),及连接至该第一多栅场效应晶体管(20)的该控制栅极终端(24)的至少一控制栅极终端(34),该第二多栅场效应晶体管(30)的该信号栅极终端(32)乃连接至较靠近该第二多栅场效应晶体管(30)的该信号栅极终端(32)的该第二多栅场效应晶体管(30)的该源极终端/漏极终端(36,38)。
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