[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200380107111.2 | 申请日： | 2003-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1729555A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | P·H·C·马格尼;J·J·T·M·当克斯;X·史 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其中在半导体本体(1)的表面(3)处，在与单晶硅区域(4)相邻设置的氧化硅区域(5)上形成非单晶辅助层(8)。该辅助层是用两个工艺步骤形成的。在第一工艺步骤中，在具有砷化合物的气氛中加热硅体；在第二工艺步骤中，在包括气态硅化合物而不是所述气态砷化合物的气氛中进行加热。因此，氧化硅区域用自对准方式设有非晶或多晶硅籽层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，其中在半导体本体的表面处，在与单晶硅区域相邻设置的氧化硅区域上形成非单晶辅助层，其特征在于辅助层是用两个工艺步骤形成的，其中在第一工艺步骤期间，通过在具有砷化合物的气氛中加热半导体本体，而在单晶硅区域上形成砷层，并且在第二工艺步骤期间，通过在包括气态硅化合物而不是气态砷化合物的气氛中加热半导体本体，在氧化硅区域上形成作为辅助层的非单晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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