[发明专利]通过离子注入和热退火获得的在Si或绝缘体上硅衬底上的弛豫SiGe层

摘要

一种获得在Si或绝缘体上硅(SOI)衬底上的薄(小于300nm)的应变弛豫Si_1－xGe_x缓冲层的方法。这些缓冲层具有释放应变的均匀分布的失配位错、显著平滑的表面、以及低螺旋位错(TD)密度，即小于10⁶cm^－2。所述方法首先生长假晶或近似假晶Si_1－xGe_x层，即没有失配位错的层，然后将He或其它轻元素注入所述层，随后进行退火，以获得充分的应变弛豫。在本方法中使用的非常有效的应变弛豫机制是在He致片晶(无气泡)上的位错成核，所述片晶位于Si/Si_1－xGe_x界面之下，平行于Si(001)表面。

主权项

1.一种在单晶表面上形成具有低螺旋位错密度的弛豫外延Si1-xGex层的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底的单晶表面上沉积近似假晶的外延Si1-xGex层；在所述衬底中注入轻元素的原子；以及在大于650℃的温度下对所述衬底进行退火。