[发明专利]磁阻式随机存取存储器技术中改善磁堆栈表面粗糙度的双层化学机械抛光方法无效
| 申请号： | 200380102827.3 | 申请日： | 2003-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1729538A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | G·科斯特里尼;J·P·赫梅尔;M·克里斯南;刘嘉成 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用以制造磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元的方法，其可解决因隧道接合层与磁性层间界面粗糙而产生的尼尔耦合问题。所述方法包含了在导体上沉积第一与第二阻障层，其中该第一阻障层的抛光速率与该第二阻障层的抛光速率不同；接着利用化学机械抛光(CMP)方式本质上移除该第二阻障层，而留下非常平滑且均匀的第一阻障层。当接着在经抛光的第一阻障层上形成磁性堆栈时，界面粗糙度便不会转移至该隧道接合层，因此不会产生磁化改变。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 技术 改善 堆栈 表面 粗糙 双层 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用以制造一磁阻式随机存取存储器单元的方法，包含下列步骤：提供一半导体基板，其包含至少一导体，该导体是嵌埋于一介电材料中，所述导体的上表面与所述介电材料的上表面共面；在所述导体与所述介电材料上沉积一第一材料；在所述第一材料上沉积一第二材料，其中所述第二材料的抛光速率与所述第一材料不同；利用化学机械抛光方式实质上移除所述第二材料；沉积一第一磁性层、一非磁性隧道接合阻障层与一第二磁性层；以及利用光显影制程图案化所述第一材料、所述第一磁性层、所述非磁性隧道接合阻障层与所述第二磁性层。
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