[实用新型]半导体激光器元件无效

专利信息
申请号: 200320116722.0 申请日: 2003-11-14
公开(公告)号: CN2724266Y 公开(公告)日: 2005-09-07
发明(设计)人: 松村拓明 申请(专利权)人: 日亚化学工业株式会社
主分类号: H01S5/22 分类号: H01S5/22
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种新型的半导体激光器元件,具有形成在p侧半导体层(14)的波导形成用脊形部(14a)、至少部分露出脊形部顶面地覆盖的绝缘保护膜(17)、在从此处露出的脊形部欧姆接触的p侧欧姆电极(15)、与p侧欧姆电极电接触地形成的p侧垫片电极(19);在p侧欧姆电极和p侧垫片电极之间,形成可防止低熔点金属扩散的中间层(30),中间层至少覆盖从绝缘保护膜(17)露出的脊形部(14a)。由此能够在脊形波导型半导体激光器中防止在组装时产生的激光特性异常及寿命特性的劣化。通过中间层,抑制低熔点金属从组装用的导电性粘合剂向脊形部扩散,良好地维持p侧欧姆电极和p型氮化物半导体的欧姆接触。
搜索关键词: 半导体激光器 元件
【主权项】:
1.一种半导体激光器元件,具有由夹着活性层的n型半导体层和p型半导体层构成的半导体层,在含有活性层的区域具有条形状波导区域,其特征在于:在所述n型半导体层和p型半导体层上分别具有欧姆接触的n侧欧姆电极和p侧欧姆电极,在其欧姆电极上具有借助绝缘性保护膜能够电接触地形成的n侧垫片电极和p侧垫片电极,在所述n侧欧姆电极和/或p侧欧姆电极与所述n侧垫片电极和/或p侧垫片电极之间具有中间层。
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