[发明专利]半导体激光器和楔形波导模斑转换器集成器件无效
| 申请号： | 200310119648.2 | 申请日： | 2003-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1622406A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘志宏;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器和楔形波导模斑转换器集成器件，包括衬底区、导光区、限制区、电极区，其中：该限制区制作在衬底区上，该限制区包括，一n型掺杂磷化铟下限制层，一p型掺杂磷化铟上限制层，该p型掺杂磷化铟上限制层分为两层，一层制作在导光区之上，另一层制作在电极区之下，一p型未氧化的铟铝砷层和含铝氧化层，该p型未氧化的铟铝砷层和含铝氧化层相隔分为条状，制作在p型掺杂磷化铟上限制层之间，一光学介质膜制作在器件的两端；导光区制作在限制区之间；电极区制作在限制区之上和衬底区之下；该含铝氧化层，此含铝氧化层在半导体激光器部分对注入电流和光场进行限制，在楔形波导模斑转换器部分使其下面的导光区形成楔形波导。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 楔形 波导 转换器 集成 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器和楔形波导模斑转换器集成器件，包括衬底区、导光区、限制区、电极区，其特征在于，其中：该限制区制作在衬底区上，该限制区包括，一n型掺杂磷化铟下限制层，一p型掺杂磷化铟上限制层，该p型掺杂磷化铟上限制层分为两层，一层制作在导光区之上，另一层制作在电极区之下，一p型未氧化的铟铝砷层和含铝氧化层，该p型未氧化的铟铝砷层和含铝氧化层相隔分为条状，制作在p型掺杂磷化铟上限制层之间，一光学介质膜制作在器件的两端；导光区制作在限制区之间；电极区制作在限制区之上和衬底区之下；该含铝氧化层，此含铝氧化层在半导体激光器部分对注入电流和光场进行限制，在楔形波导模斑转换器部分使其下面的导光区形成楔形波导。
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