[发明专利]形成良好方形轮廓的字符线间隙壁的制造方法

摘要

本发明提供一种形成良好方形轮廓的字符线间隙壁的制造方法，其可在半导体基底上形成一图案化氧化层、一多晶硅层及一氧化层之后，再依次利用突破步骤、主蚀刻步骤、氧化物蚀刻步骤及过度蚀刻步骤的各阶段蚀刻步骤来完成字符线间隙壁的制作；其中，利用多晶硅层角落残留的氧化层可达到垂直间隙壁蚀刻的特性，使其在后续蚀刻步骤中，能够保持良好的间隙壁轮廓。因此，本发明的方法不但可去除生成的尖角结构，亦可制作出具有良好方形轮廓的字符线间隙壁。

主权项

1、一种形成良好方形轮廓的字符线间隙壁的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：在一半导体基底上形成一图案化氧化层，并在其上形成一多晶硅层及一氧化层；进行一突破步骤，其利用氧化物对多晶硅的高选择比，以去除部份该氧化层；进行一主蚀刻步骤，蚀刻该多晶硅层与少部份该氧化层，直至该多晶硅层在该半导体基底上成为一薄膜为止，且位于角落凸出的该氧化层成为一尖角(fence)结构；进行一氧化物蚀刻步骤，其对该氧化层的尖角结构进行等向蚀刻，以移除凸出该多晶硅层外的该尖角结构，并使该多晶硅层角落圆弧化；以及进行一过度蚀刻步骤，其蚀刻去除该图案化氧化层上多余的该多晶硅层，使剩余的该多晶硅层分别在该图案化氧化层二侧形成方形轮廓的字符线间隙壁。