[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200310103000.6 | 申请日： | 2003-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1501455A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 平岩篤;酒井哲;石川大;池田良广 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/3105;H01L21/283;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用低温处理来形成膜质量不比热氧化膜逊色的氧化膜。在除去了构成半导体晶片(2W)的衬底(2S)的有源区域上的绝缘膜后，在半导体晶片(2W)的主表面上，通过减压CVD法淀积例如氧化硅膜构成的绝缘膜(6a)。该绝缘膜(6a)是后面形成MIS·FET的栅极绝缘膜的膜。接着，对该绝缘膜(6a)在含有氧的气氛中按箭头模式的那样实施等离子体处理(氧等离子体处理)。由此，可以将CVD法形成的绝缘膜(6a)的膜质量改善为与热氧化膜形成的绝缘膜相同的膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：(a)在半导体衬底上，通过化学气相生长法淀积由氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜的单体膜构成的绝缘膜，或由从这些单体膜中选择出的两种或两种以上的膜的叠层膜构成的绝缘膜的工序；以及(b)对所述绝缘膜，在含有氧原子的气氛中实施等离子体处理的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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