[发明专利]一种用原子光刻技术制作高密度纳米结构的方法无效
| 申请号： | 200310100171.3 | 申请日： | 2003-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1607464A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈献忠;姚汉民;陈旭南;石建平;陈元培 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G02F1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘秀娟;卢纪 |
| 地址： | 610209*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用现有原子光刻技术制作高密度纳米结构的方法，它利用近共振激光驻波场对原子束进行调制来实现纳米量级聚焦，通过改变激光的频率实现聚焦位置的改变，将光频蓝移和红移两种情况下的原子聚焦叠加起来实现周期为光波长1/4的纳米结构制作。该方法不需要新的实验装置、操作简单、成本低，可广泛应用于高密度纳米光栅、点阵、纳米材料和纳米器件等的研究和开发。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原子 光刻 技术 制作 高密度 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用原子光刻技术制作高密度纳米结构的方法，其特征在于：利用近共振激光驻波场中激光频率的改变来改变原子束的聚集位置，将光频蓝移和红移两种情况下的原子聚焦叠加起来实现周期为光波长1/4的纳米结构制作。
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