[发明专利]利用阱偏置调节的集成电路测试方法无效
| 申请号： | 03826009.3 | 申请日： | 2003-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1742209A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | A·加蒂克;D·A·格罗施;M·D·诺克斯;F·莫提卡;P·奈伊;J·范霍恩;P·S·祖霍斯基 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于测试半导体电路(10)的方法，包括测试电路并在测试期间调节电路的阱偏置(14，18)。该方法通过在测试期间调节阱偏置改善了基于电压的和IDDQ测试和诊断的分辨率。另外，该方法在应力测试中提供了更有效的应力。该方法应用于IC，其中半导体阱(阱和/或衬底)从芯片VDD和GND单独地连线，允许在测试期间对阱电势的外部控制(40)。总之，本方法依赖于利用阱偏置来改变晶体管的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 偏置 调节 集成电路 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于测试具有阱(14，18)的集成电路(10)的方法，所述阱单独地从电路VDD和接地连线，所述方法包括以下步骤：测试电路，包括单独地调节n晶体管(16)的p阱(14)偏置和p晶体管(20)的n阱(18)偏置；以及通过所述测试确定是否存在缺陷。
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