[发明专利]横向绝缘栅双极PMOS器件无效
| 申请号： | 03823271.5 | 申请日： | 2003-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1685518A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | T·勒塔维克;J·佩特鲁泽尔洛 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种横向绝缘栅双极PMOS器件(20b)，包括：半导体衬底(22)；掩埋绝缘层(24)；以及在掩埋绝缘层上的SOI层内、具有p型导电类型的横向PMOS晶体管器件。提供了与体区(30)相邻的、n型导电类型的横向漂移区(32)，并提供了p型导电类型的漏区，漂移区把该漏区横向地与体区隔离开。插在p型反转缓冲区内的浅n型接触表面区形成了n型导电类型的漏区(34b)。在体区(30)的一部分上形成栅电极(36)，工作时在该部分内形成沟道区，且该部分在与体区(30)相邻的横向漂移区(32)的一部分上扩展，绝缘区(38)把栅电极(36)与体区(32)及漂移区(32)绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 绝缘 栅双极 pmos 器件 | ||
【主权项】：
1.一种横向薄膜绝缘栅双极PMOS器件，包括：半导体衬底，所述衬底上的掩埋绝缘层，以及所述掩埋绝缘层上SOI层内的横向PMOS器件，该器件包含：在n型导电类型的体区内形成的p型导电类型的源区；n型导电类型的横向漂移区；与所述体区相邻的是导电类型为p型的漏区，且所述横向漂移区横向地将其与所述体区隔开；以及栅电极，位于在与所述体区相邻的所述横向漂移区的一部分上延伸的所述体区的一部分上，绝缘区把所述栅电极与所述体区绝缘，所述横向漂移区在其横向范围的主要部分上有线性渐变的电荷分布，使得所述横向漂移区内的掺杂水平沿从所述漏区向所述源区的方向增加，且其中所述源区、所述漂移区、以及所述漏区形成一个双极晶体管，在所述PMOS器件处于导通状态时，该晶体管可提供附加的电流路径，从而降低所述PMOS器件的开态电阻。
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