[发明专利]使用高熔点金属氧化物或氧化硅掩蔽层制造的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质无效
| 申请号： | 03822852.1 | 申请日： | 2003-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1685401A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 金朱镐;富永淳二 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;独立行政法人产业技术总合研究所 |
| 主分类号： | G11B5/62 | 分类号： | G11B5/62 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;韩素云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种包括包含高熔点金属氧化物或氧化硅的掩蔽层的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质。更具体地讲，提供一种具有超分辨率近场结构的高密度记录介质，其包括依次堆叠的第二电介质层、记录层、保护层、掩蔽层、第一电介质层和聚碳酸酯层，其中掩蔽层包括高熔点金属氧化物或氧化硅以通过光或热诱导高熔点金属氧化物或氧化硅的结晶结构和光学特性中的物理变化来产生近场。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 熔点 金属 氧化物 氧化 掩蔽 制造 具有 分辨率 近场 结构 高密度 记录 介质 | ||
【主权项】：
1、一种具有超分辨率近场结构的高密度记录介质包括依次堆叠的第二电介质层、记录层、保护层、掩蔽层、第一电介质层和聚碳酸酯层，其中掩蔽层包括高熔点金属氧化物或氧化硅以通过光或热诱导高熔点金属氧化物或氧化硅的结晶结构和光学特性中的物理变化来产生近场。
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