[发明专利]允许缺陷管理的高密度一次写入记录介质以及用于管理缺陷的方法和设备无效
| 申请号： | 03819002.8 | 申请日： | 2003-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN1675709A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 高祯完;李坰根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B20/18 | 分类号： | G11B20/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;谭昌驰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种允许缺陷管理的高密度一次写入记录介质以及一种用于管理缺陷的方法和设备。根据该高密度一次写入记录介质，数据以轨道或簇被写入该记录介质，写入的数据被验证，并且如果发现缺陷，则缺陷部分被跳过，并且相应于该缺陷部分的数据和随后写入的数据被重新写入下一个可用记录位置。使用滑移替换的缺陷管理方法应用于在其中缺陷被发现的高密度一次写入记录介质，由此通过将在该记录介质中发现的缺陷滑移来允许连续记录，并且还提高了该记录介质的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 允许 缺陷 管理 高密度 一次 写入 记录 介质 以及 用于 方法 设备 | ||
【主权项】：
1、一种在其中数据以预定记录单位被写入的高密度一次写入记录介质，其中，数据在以预定记录单位被写入后被验证，并且如果发现缺陷，那么没有数据被写入缺陷部分，并且，其中，相应于该缺陷部分的数据和随后写入的数据被重新写入下一个可用记录位置。
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