[发明专利]用于擦除闪速存储器的方法和装置无效
| 申请号： | 03818440.0 | 申请日： | 2003-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1672217A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | A·米尼;C·陈 | 申请（专利权）人： | 微米技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种可减少在隧道氧化物中被捕获的空穴的擦除非易失性存储器器件的方法和装置。为避免当空穴在闪存的隧道氧化物中被捕获时发生的应力感应泄漏电流(SILC)，建议采用下面的擦除方法。擦除分为源擦除(源极5伏，栅极－10伏)和信道擦除(源极0伏，栅极－12到－15伏)。增加的负电压(－12到－15伏)可由电压源静态提供或由“负门自举”或电容电压提升提供。在电压提升时，从源擦除转换到信道擦除(以毫秒间隔将源级从5伏快速切换到0伏)将栅极电容耦合大约－15伏。当字线驱动器的寄生电容比存储器晶体管的源极和控制栅极间的电容低时，增进了电压提升；当字线驱动器的漏极漏损为低时，进一步增进电压提升(GIDL：栅极诱导的漏极漏损)。采用LDD(轻度掺杂漏极)和低k值绝缘栅极隔离物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 擦除 存储器 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.擦除包含控制门、浮动门、源、漏极和基片的非易失性存储单元的方法，所述方法包含：在擦除周期内相对于公用电压将负电压脉冲供给到所述控制门；在持续时间比所述擦除周期短的第二周期内相对于所述公用电压将正电压脉冲供给到所述源；以及在所述第二周期的结尾对所述正电压脉冲进行放电，其特征在于在所述第二周期结尾对所述正电压脉冲进行放电有效的增加所述负电压脉冲的量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于微米技术股份有限公司，未经微米技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03818440.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：夹竹桃强心总甙灭螺剂及其制备工艺和应用方法
- 下一篇：空调壳体
