[发明专利]沟槽肖特基势垒二极管无效
| 申请号： | 03818175.4 | 申请日： | 2003-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1672257A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 安藤浩二;达维德·基奥拉 | 申请（专利权）人： | 国际整流器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦;方挺 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种肖特基势垒结构的制造方法，包括：直接在外延层上形成氮化物层，然后在该外延层中形成多个沟槽。在沟槽内壁淀积最终氧化物层而无需形成牺牲氧化物层，以避免在沟槽内壁顶部形成鸟喙。在同样的工艺步骤中腐蚀最终沟槽，用于在有源区中形成多个沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 肖特基势垒二极管 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造沟槽肖特基势垒半导体器件的方法，包括以下步骤：在具有第一导电类型的硅衬底表面上直接形成氮化物层；对所述氮化物层进行构图以限定间隔的窗口，然后穿透所述窗口进行腐蚀以形成间隔的沟槽，所述沟槽由所述表面向下延伸至所述硅衬底内部；以及通过最终氧化物层形成所述沟槽的内壁的衬层而无需形成牺牲氧化物层并对所述牺牲氧化物层进行腐蚀，以防止在所述沟槽的内壁的顶部形成鸟喙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
