[发明专利]写入切换存储器的电路和方法无效
| 申请号： | 03815295.9 | 申请日： | 2003-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1666292A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·J.·纳哈斯;托马斯·W.·安德利;奇特拉·K.·萨布拉曼尼安;布拉德利·J.·加尼 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 写入切换存储器(112)的电路和方法，特别是MRAM，其中，响应从存储器(112)读取的数据有条件地放弃根据该存储器的切换写入操作，使得仅在写入的新数据与已经存储在存储器(112)中的数据不同时切换存储器状态。 | ||
| 搜索关键词： | 写入 切换 存储器 电路 方法 | ||
【主权项】：
1、一种读取和写入切换存储器的方法，包括以下顺序的步骤：在切换存储器预定地址位置开始读取操作；在预定地址位置开始部分写入切换操作，而不影响当前存储的值；比较预定地址位置当前存储的数据值与待写入预定地址的新值，从而确定所述新值与存储的数据值是不同还是相同；如果所述新值与存储的数据值不同，则完成预定地址位置的写入切换操作，或者如果所述待写入的新值与存储的数据值相同，则终止在预定地址位置的切换操作。
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