[发明专利]制造异质双极型晶体管的方法和异质双极型晶体管无效
| 申请号： | 03813330.X | 申请日： | 2003-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1659693A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | D·贝哈姆尔 | 申请（专利权）人： | 单片集成电路半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周建秋;王敬波 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 给出了一种异质双极型晶体管、尤其是在GaAs基极上的制造方法及其优势性的构造，它允许低成本地制造出长期稳定的元件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 异质双极型 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造异质双极型晶体管的方法，它具有一个由多个层构成的台形结构的发射极和一个相对于该台形结构从侧面上伸出的凸缘，后者处于一个沉积于基极层上的第一发射极层内，由一个层列的整面沉积的半导体层和至少一个遮盖层组成，后者造型为第一掩模，在使用了对材料有选择性的侵蚀过程中通过遮盖层的侧向侵蚀来产生发射极台形结构，其中，第一发射极层被一个相对于它可选择性被侵蚀的第一阻挡层所遮盖，其特征为：在侵蚀获得台形结构后，一直到第一阻挡层上整面地沉积一个钝化层，使用一个第二掩模对钝化层进行造型，并用钝化层作为第三掩模、借助于一种各向同性的侵蚀方法将凸缘侵蚀到基极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
