[发明专利]带有在I/O监视内部计时控制信号的测试模式的半导体存储器器件无效

专利信息
申请号: 03813020.3 申请日: 2003-06-04
公开(公告)号: CN1659663A 公开(公告)日: 2005-08-24
发明(设计)人: 宮川正;高岛大三郎;托马斯·勒尔 申请(专利权)人: 株式会社东芝;英芬能技术公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00;G11C7/22
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 付建军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 公开了带有在I/O监视内部计时控制信号的测试模式的半导体存储器器件。该半导体存储器器件包括一个存储器单元阵列;多个输入/输出端子,把写入存储器单元阵列的单元数据输入以及把从存储器单元阵列读取的单元数据输出;一个测试模式设定电路,设定一种测试模式,以便监视多个控制单元数据之输入/输出操作计时的控制信号;以及若干切换电路,连接到多个输入/输出端子。切换电路在测试模式下,从多个输入/输出端子同时输出多个计时信号。
搜索关键词: 带有 监视 内部 计时 控制 信号 测试 模式 半导体 存储器 器件
【主权项】:
1.一种半导体存储器器件,包括:存储器单元阵列;多个输入/输出端子,用于输入写入存储器单元阵列的单元数据,并输出从存储器单元阵列读取的单元数据;测试模式设定电路,设定测试模式,以便监视多个计时信号,计时信号控制单元数据的输入/输出操作计时;以及若干切换电路,在测试模式下,从多个输入/输出端子同时输出多个计时信号。
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