[发明专利]磁性随机存储器器件的成形方法有效
| 申请号： | 03811541.7 | 申请日： | 2003-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1656580A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 马克斯·海因曼;卡伦·西里奥里尼;布拉德·J·霍华德 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/30 | 分类号： | H01F41/30;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成磁性随机存储器(MRAM)的方法以及由此得到的结构，该磁性随机存储器采用了位于存储单元(10)顶上的牺牲性的盖帽层(20)。多个带有盖帽层(20)的单独磁性存储器件(10)在基板上形成。连续的第一绝缘层(20，22)沉积在基板和磁性存储器件之上。至少除去第一绝缘层在磁性存储器件(10)之上的部分，然后有选择性地从磁性存储器件(10)中除去盖帽层(20)，从而暴露出磁性存储器件(10)的活性顶面。磁性存储器件(10)的顶面凹陷到第一绝缘层(22)的顶面以下。形成与磁性存储器件(10)的活性顶面接触的顶部导体。图示的实施方案中，在沉积第一绝缘层(20，22)之前，沿着磁性存储器件(10)的侧面还形成有隔离片(36)。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机 存储器 器件 成形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存储器的成形方法，其包括：在基板上设置磁性存储层的叠层；在所述磁性存储层上沉积盖帽层；去除所述盖帽层和磁性存储层区域，从而限定多个带有盖帽层的单独磁性存储器件；在所述基板和所述磁性存储器件上设置连续的第一绝缘层；至少除去在所述磁性存储器件上的所述第一绝缘层部分；从所述磁性存储器件选择性地除去盖帽层，从而暴露出所述磁性存储器件的活性顶面；以及成形与所述磁性存储器件的活性顶面相接触的顶部导体。
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