[发明专利]用于MOS栅器件的表面几何结构无效
| 申请号： | 03810609.4 | 申请日： | 2003-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1653602A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 理查德·A·布朗夏尔 | 申请（专利权）人： | 通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;樊卫民 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于MOS栅器件的表面几何结构，它允许通过预定增量使器件的尺寸在x轴和y轴发生改变。实际器件尺寸通过金属和焊盘掩模或接触金属和焊盘掩模来设置或“编程”。这种方法既节省时间又节约费用。示出了一个7×9阵列(11)的相同贴片(13)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mos 器件 表面 几何 结构 | ||
【主权项】：
1.一种制造MOS栅器件的方法，包括以下步骤：提供多个不连续贴片，所述多个贴片中的每一个贴片具有至少一个源区和至少一个体区；及将贴片组装成阵列，以便形成MOS栅器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
