[发明专利]等离子体振动开关元件

摘要

本发明的等离子体振动开关元件包含：半导体基板（101）；在该基板上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第一阻挡层（103），在第一阻挡层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的沟道层（104）；在沟道层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第二阻挡层（105）；和在第二阻挡层上设置的源极电极（107）、栅极电极（109）以及漏极电极（108），第一阻挡层具有n型扩散层（103a），第二阻挡层具有p型扩散层（105a），沟道层的能带间隙比第一及第二阻挡层的能带间隙小，在第一阻挡层和沟道层之间境界的传导带上积聚二维电子气EG，另一方，在第二阻挡层和沟道层境界的价电子带上积聚二维空穴气HG，各电极经绝缘层（106）在第二阻挡层上形成。

主权项

1、一种等离子体振动开关元件，其特征在于，具有：基板；在所述基板上形成、由III-V族化合物半导体构成的第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成，由III-V族化合物半导体构成的沟道层；在所述沟道层上形成，由III-V族化合物半导体构成的第二阻挡层；和在所述第二阻挡层上设置的源极电极、栅极电极以及漏极电极，所述第一阻挡层具有n型扩散层及p型扩散层的任意一方，所述第二阻挡层具有这些扩散层的任意另一方，具有所述n型扩散层的阻挡层的传导带端能量比所述沟道层的传导带端的能量大，具有所述p型扩散层的阻挡层的价电子带端的能量比所述沟道层的价电子带端的能量小，在具有所述n型扩散层的阻挡层和所述沟道层之间的境界上积聚二维电子气，另一方面，在具有p型扩散层的阻挡层和所述沟道层之间的境界上积聚二维空穴气，所述源极电极、所述栅极电极以及所述漏极电极分别与所述二维电子气及二维空穴气静电耦合。