[发明专利]耦合增强的集成电路无效

专利信息
申请号: 03808339.6 申请日: 2003-03-12
公开(公告)号: CN1647123A 公开(公告)日: 2005-07-27
发明(设计)人: 艾伦·D·德威尔比斯 申请(专利权)人: 塞利斯半导体公司
主分类号: G08B13/14 分类号: G08B13/14
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王英
地址: 美国科*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一个从基站(16)向分离的集成电路(IC)传递射频(RF)信号的系统,该系统具有一个中间谐振电路(4)和一个IC(2)。中间谐振电路响应于来自基站的RF信号以产生谐振并恢复RF信号。所述的IC具有一个整体谐振电路(6,8,10)用以响应于恢复的RF信号以产生谐振。所述的IC和中间谐振电路相互接近地固定,且二者都与基站相分离并相互分离。中间谐振电路和整体谐振电路中的任何一个或者二者都可以接触一个高导磁率层。所述中间谐振电路可以由导电墨水构成。
搜索关键词: 耦合 增强 集成电路
【主权项】:
1、用于向集成电路传递射频(RF)信号的系统,该系统包括:(a)一个响应于RF信号以产生谐振并恢复所述RF信号的中间谐振电路;和(b)一个接近该中间谐振电路固定的集成电路(IC),所述IC与该中间谐振电路相分离,所述IC有一个响应于所恢复的RF信号以产生谐振的整体谐振电路。
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