[发明专利]纵型热处理装置有效
| 申请号： | 03807748.5 | 申请日： | 2003-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1647253A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 本间学 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 纵型热处理装置(1)配置有在从处理室(5)的加载端口(4)取出被处理基板(W)之际，遮蔽加载端口(4)的快门装置(17)。快门装置(17)配置有选择性地关闭处理室(5)的加载端口(4)的端口盖(18)。端口盖(18)由配备有支撑它同时使其移动的伸缩臂(19)的驱动部来驱动。驱动部通过伸缩臂(19)使端口盖(18)在关闭加载端口(4)的关闭位置(PB)和关闭位置(PB)旁侧的待机位置(PA)之间做直线移动。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种纵型热处理装置，用于对于多个被处理基板一起实施热处理的，其特征在于，包括：收纳所述被处理基板的密封的处理室，所述处理室的底部具有加载端口；选择性地开放及关闭所述处理室的所述加载端口的盖体；在所述处理室内，以相互间一定间隔隔开地堆积的状态保持所述被处理基板的保持容器；向所述处理室内供给处理气体的供给系统；排出所述处理室内气体的排气系统；加热所述处理室内部环境的加热机构；在将保持所述被处理基板的所述保持容器支撑在所述盖体上的状态下，升降所述盖体的升降机；以及从所述处理室的所述加载端口取出所述被处理基板时，遮蔽所述加载端口的快门装置，所述快门装置，包括：选择性地关闭所述处理室的所述加载端口的端口盖；和具备支撑所述端口盖的同时使其移动的伸缩臂的驱动部，所述驱动部通过所述伸缩臂使所述端口盖在关闭所述加载端口的关闭位置和所述关闭位置旁侧的待机位置之间做直线移动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03807748.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
