[发明专利]磁阻层系统和具有这种层系统的传感器元件无效

专利信息
申请号: 03802768.2 申请日: 2003-06-26
公开(公告)号: CN1623100A 公开(公告)日: 2005-06-01
发明(设计)人: H·西格勒;M·拉贝;U·迈 申请(专利权)人: 罗伯特-博希股份公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 程天正;张志醒
地址: 德国斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种磁阻层系统,其中在尤其根据GMR或AMR效应工作的磁阻层堆(14)的周围设置有一种层布置(15),该层布置产生作用于所述磁阻层堆(14)的磁场,并且其中所述的层布置(15)至少具有一个硬磁层(12)和一个软磁层(13)。另外还涉及了尤其用于探测磁场强度和/或方向的、具有这种磁阻层系统(5)的传感器元件。
搜索关键词: 磁阻 系统 具有 这种 传感器 元件
【主权项】:
1.磁阻层系统,其中在尤其根据GMR或AMR效应工作的磁阻层堆(14)的周围设置有一种层布置(15),该层布置产生了作用于所述磁阻层堆(14)的磁场,并且其中所述的层布置(15)至少具有一个硬磁层(12)和一个软磁层(13)。
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