[发明专利]光记录介质及其制造方法、光记录方法、光再现方法、光记录设备、光再现设备、以及光记录与再现设备无效
申请号: | 03800858.0 | 申请日: | 2003-04-22 |
公开(公告)号: | CN1545698A | 公开(公告)日: | 2004-11-10 |
发明(设计)人: | 荒谷胜久;峰岸慎治;塚原诚 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社;索尼磁碟科技股份有限公司 |
主分类号: | G11B7/0045 | 分类号: | G11B7/0045;G11B20/10;G11B20/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄小临;王志森 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种通过采用了一种结构可以低成本制造的光记录介质和一种相应于一再现专用光记录介质结构的制造方法。这种光记录介质能够附加地记录诸如密码、标记等之类其它新的信息,能够可靠地对它们加以记录,并且拥有令人满意的特性。光记录介质(S)包括有一信息层(2),信息层(2)包括一反射膜(3),其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一信息记录部分。反射膜由具有不小于20μΩ.cm和不大于90μΩ.cm的电阻率的Al合金或Cu合金形成,能够通过热记录把信息附加地记录在反射膜(3)上。 | ||
搜索关键词: | 记录 介质 及其 制造 方法 再现 设备 以及 | ||
【主权项】:
1.一种光记录介质,拥有一信息层,其中,通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一信息记录部分,并且包括一反射膜,其中所述反射膜被构成为能够通过热记录进行附加记录,并且由具有20μΩ.cm或20μΩ.cm以上和90μΩ.cm或90μΩ.cm以下电阻率的Al合金或Cu合金形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社;索尼磁碟科技股份有限公司,未经索尼株式会社;索尼磁碟科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03800858.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:解码设备和解码方法
- 下一篇:对接焊接装置、对接焊接方法及对接焊接制品