[发明专利]X射线掩模的制造方法和半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 03159124.8 | 申请日： | 2003-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1531019A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 渡边寛;吉濑幸司;糸賀賢二 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在X射线掩模的制造工序中，首先，在作为X射线透过体的金刚石上形成作为蚀刻阻挡层的氧化铬。其次，氧化铬上形成作为第1层X射线吸收体的金刚石。然后，在金刚石上形成作为第2层X射线吸收体的钨。其结果，由金刚石和钨形成叠层构造的X射线吸收体。这样，要是X射线吸收体包括不同组成物质的叠层构造，就很容易调整全体X射线吸收体的透过率和移相量。因此，获得可提高半导体器件图形分辨率的X射线掩模制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 射线 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种X射线掩模制造方法，具备：形成X射线透过体的工序；以及形成在所述X射线透过体上方形成的叠层构造X射线吸收体的工序，其特征是，作为所述叠层构造的X射线吸收体，使用组成不同的两种以上的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
