[发明专利]镶嵌栅极多台面式金氧半场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 03158448.9 | 申请日： | 2003-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1490881A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 朴炳柱;杰克·A·曼德尔曼;古川俊治 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带有用于源极/漏极区的掺杂侧壁的多台面式FET结构及其形成方法。在制造过程中，源极和漏极侧壁的暴露使得整个侧壁能够被均匀地掺杂，尤其是当采用与几何形状无关的掺杂方法时，如气相掺杂或等离子体掺杂。得到的器件具有高度独立并且精确控制的阈值电压及电流强度，并且，由于与采用现有技术形成的台面相比台面可以非常高，因此可以具有非常高的硅的单位面积电流。用于形成多台面式FET结构的方法提供为可以采用镶嵌栅极工艺(damascene gate process)，或者采用镶嵌替换栅极工艺(damascene replacement gate process)，而不是传统的减蚀刻方法。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 栅极 台面 式金氧 半场 效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多台面式场效应晶体管(FET)结构，包括：多个含硅台面区，每个台面区具有被掺杂的侧壁表面，以形成源极和漏极区；通道区，在每个所述台面区内，所述通道区电学地接触所述源极和漏极区；栅极介电部，位于每个所述台面区表面上的所述通道区顶上；以及栅极导体，在所述栅极介电部顶上。
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