[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 03156947.1 | 申请日： | 2003-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1490882A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 园田真久;井口直;角田弘昭;坂上荣人 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在具有具备栅绝缘膜的场效应晶体管的半导体器件及其制造方法中，晶体管可进一步微细化的半导体器件及其制造方法。在含有多个元件区域和由使上述元件区域彼此间电隔离的STI(浅沟隔离)形成的元件隔离区域的半导体器件中，上述每一个元件区域都具备：沟道区域；在水平方向上夹持上述沟道区域形成的源、漏区；在上述沟道区域上形成，而且，与上述源、漏区夹持上述沟道区域的上述方向大体上垂直的水平方向上的、在和与上述沟道区域对向的面相反一侧的面上从上述元件隔离区域侧形成的、鸟喙的角度在1度以下的栅绝缘膜；在上述栅绝缘膜上形成的栅电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，在含有多个元件区域和由使上述元件区域彼此间电隔离的STI形成的元件隔离区域的半导体器件中，其特征在于：上述每一个元件区域具备：沟道区域；在水平方向上夹持上述沟道区域形成的源、漏区；在上述沟道区域上边形成，而且，与上述源、漏区夹持上述沟道区域的上述方向大体上垂直的水平方向上的、在和与上述沟道区域对向的面相反一侧的面上从上述元件隔离区域侧形成的、鸟喙的角度在1度或1度以下的栅绝缘膜；在上述栅绝缘膜上形成的栅电极层。
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