[发明专利]有机电激发光的非晶矽薄膜电晶体的制造方法有效
| 申请号： | 03155911.5 | 申请日： | 2003-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1591802A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 萧调宏 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘领弟 |
| 地址： | 台湾省新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种有机电激发光的非晶矽薄膜电晶体的制造方法。为提供一种制程简单、速度快、适用性强、蚀刻均匀、改善电性表现的半导体元件制造方法，提出本发明，它包括于玻璃基板上制作闸极；于玻璃基板上制作第一隔离层，且同时覆盖闸极；于第一隔离层上依序制作非晶矽层及重掺杂非晶矽层以定义出薄膜电晶体的主动区域；于第一隔离层制作金属层，且覆盖重掺杂非晶矽层；于金属层上表面制作第二阻障层；于第二阻障层上制作光阻层，光阻层具有位于闸极的正上方的窗口；干蚀刻去除窗口内的第二阻障层；湿蚀刻依序去除位于窗口内的金属层；干蚀刻去除窗口内裸露的重掺杂非晶矽层，以形成薄膜电晶体的源极与汲极。 | ||
| 搜索关键词： | 机电 激发 非晶矽 薄膜 电晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种有机电激发光的非晶矽薄膜电晶体的制造方法，它包括如下步骤：于玻璃基板上制作闸极；于玻璃基板上制作第一隔离层，且同时覆盖闸极；于第一隔离层上依序制作非晶矽层及重掺杂非晶矽层以定义出薄膜电晶体的主动区域。于第一隔离层制作金属层，且覆盖重掺杂非晶矽层；于金属层上表面制作第二阻障层；于第二阻障层上制作光阻层，光阻层具有位于闸极的正上方的窗口；蚀刻去除窗口内的第二阻障层、金属层及重掺杂非晶矽层；其特征在于所述的蚀刻去除窗口内的第二阻障层、金属层及重掺杂非晶矽层为：干蚀刻去除窗口内的第二阻障层；湿蚀刻依序去除位于窗口内的金属层；干蚀刻去除窗口内裸露的重掺杂非晶矽层，以形成薄膜电晶体的源极与汲极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
