[发明专利]量测薄膜应变的方法及其结构无效
| 申请号： | 03153935.1 | 申请日： | 2003-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1584493A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡欣昌;方维伦 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/16 | 分类号： | G01B11/16;G01B11/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种量测薄膜应变的方法及其结构，应用于面型微细加工制程中量测薄膜残余应变，残余应变分布梯度，热膨胀系数或热膨胀梯度分布。在形成微机电组件的薄膜时，同时形成一同平面应变规及一出平面应变规，经由同平面应变规及出平面应变规，可以量测薄膜残余应变及其梯度分布。薄膜经过热处理后，可以量测热膨胀系数及热膨胀梯度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 应变 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1、一种量测薄膜应变的方法，应用于一面型微细加工的微机电工件中，该面型微细加工的微机电工件建构于一基材上，且至少具有一薄膜层，其特征在于该量测薄膜应变的方法包括以下步骤：形成该薄膜层于该基材上，该薄膜层具有一微机电工件部分及至少一残余应变规部分；以及量测该残余应变规的几何尺寸及形变量，以推导出该薄膜的残余应变值及残余应变分布梯度。
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