[发明专利]多晶硅层的结晶方法有效
| 申请号： | 03152618.7 | 申请日： | 2003-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1581426A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 林敬伟 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅层的结晶方法，包括下列步骤：在基板的一表面上形成一晶种；接着，形成非晶硅层覆盖于该表面与该晶种上；以及，以激光照射于非晶硅层使非晶硅层熔化。该方法克服了现有多晶硅的晶粒尺寸过小且分布不均匀的情形。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 结晶 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅层的结晶方法，包括下列步骤：在一基板的一表面上形成至少一晶种；形成一非晶硅层覆盖于该表面与该至少一晶种；以及以一激光照射于该非晶硅层使该非晶硅层熔化，熔化的该非晶硅层利用该晶种重新结晶成为一多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
