[发明专利]制备准晶颗粒增强镁基复合材料的工艺无效
| 申请号： | 03151044.2 | 申请日： | 2003-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN1524974A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 李小平;徐洲;李卫红;严峰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C22C23/00 | 分类号： | C22C23/00;C22C1/04 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 20003*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种粉末冶金法制备准晶颗粒增强镁基复合材料的工艺，属于复合材料、冶金技术领域。本发明采用机械球磨或高压惰性气体雾化的方法制取准晶粉末，过筛后得到20－100μm的准晶粉末，采用－200～80目的镁合金粉末分别与准晶粉末进行混合后热压压制，然后在真空炉里进行烧结，制备出准晶颗粒增强镁基复合材料，具体工艺参数为：准晶颗粒质量百分数为5－25％，热压温度250－450℃，真空烧结温度580－650℃，烧结时间20－60分钟。本发明增强颗粒与合金粉末能充分混合均匀，所占质量分数可调，而且粉末冶金的烧结温度较低，避免了在液相工艺过程中基体熔融金属与准晶颗粒之间的反应，准晶增强颗粒与基体金属界面结合良好，且能弥散均匀分布在基体金属内。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 颗粒 增强 复合材料 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种制备准晶颗粒增强镁基复合材料的工艺，其特征在于，采用机械球磨或高压惰性气体雾化的方法制取准晶粉末，过筛后得到20-100μm的准晶粉末，采用-200～80目的镁合金粉末分别与准晶粉末进行混合后热压压制，然后在真空炉里进行烧结，制备出准晶颗粒增强镁基复合材料，具体工艺参数为：准晶颗粒质量百分数为5-25％，热压温度250-450℃，真空烧结温度580-650℃，烧结时间20-60分钟。
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