[发明专利]一种金属－有机络合物电双稳态薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 03150920.7 | 申请日： | 2003-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1523130A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 蒋益明;谢亨博;郭峰;刘平;李劲 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属－有机络合物MTCNQ电双稳态薄膜的制备方法。首先采用物理气相淀积法沉积金属M和TCNQ混合薄膜，再用化学电镀法制备得MTCNQ薄膜。由该方法制备的MTCNQ薄膜同时兼备真空反应蒸发方法表面平整度高和溶液法化学配比严格的优点，并且具备良好的电双稳特性，因此在微电子器件、分子电子器件和海量存贮器的制备等方面有着广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 有机 络合物 双稳态 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属-有机络合物电双稳态薄膜的制备方法，其特征在于首先采用物理气相沉积方法沉积金属M和TCNQ混合薄膜：将基板放入真空镀膜机中，在不低于2×10-3Pa真空条件下，蒸镀一层厚度为10-40nm的金属M，然后在金属膜上蒸镀一层厚度为20-80nm的TCNQ薄膜，得到M，TCNQ的混合薄膜；再用电化学反应法制备MTCNQ薄膜：将前述步骤得到的M，TCNQ混合薄膜置于湿度为100％的氛围中，在室温下发生电化学反应生成MTCNQ薄膜。
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