[发明专利]含有非线性光学材料层的光刻用掩膜无效
| 申请号： | 03150504.X | 申请日： | 2003-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1515960A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张锋;王阳;徐文东;干福熹;张研研;魏劲松;高秀敏;周飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种含有非线性光学材料层的光刻用掩膜，包括保护层、非线性光学材料层和保护层，其特点是所述的保护层均由氮化硅或硫化锌和二氧化硅的混合材料构成；所述的非线性光学材料层由铋构成。该掩膜层减小光斑主要是靠具有三阶非线性材料的的聚焦效应。采用该种掩膜材料，具有聚焦效率高，对入射光响应时间快，对光刻胶和基片的热损伤小等优点。实验证明它可以达到明显减小刻蚀线宽的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 非线性 光学材料 光刻 用掩膜 | ||
【主权项】：
1、一种含有非线性光学材料层的光刻用掩膜，包括保护层(1)、非线性光学材料层(2)和保护层(3)其特征在于所述的保护层(1)和保护层(3)均由氮化硅或硫化锌和二氧化硅的混合材料构成；所述的非线性光学材料层(2)由铋构成。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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