[发明专利]光电级硅的制造方法无效
| 申请号： | 03150241.5 | 申请日： | 2003-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1569629A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 龚炳生 | 申请（专利权）人： | 龚炳生 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 364211福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 涉及硅的纯化，尤其是一种采用定向凝固的光电级硅的纯化工艺。其步骤为：在真空负压室中，用中频感应炉升温≥1850℃，把原料化学级硅熔融，除去铝、硼、磷、硫、碳及其它杂质；采用惰性气体保护在硅熔液中通入水蒸汽和氢气，搅拌精炼，使其它元素高温汽化后倒入凝固器；在真空负压室进行从下往上的定向凝固，除去铁及其它重金属；慢速降温至常温，得光电级硅。采用了真空负压、高温熔融、惰性气体保护、在硅熔液中通入水蒸气和氢气以及从下往上定向凝固的特殊工艺方法，省去了制取电子工业等级硅的复杂程序，制得适于制造太阳能电池用硅，大幅度地减少了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、光电级硅的制造方法，其特征在于其步骤为：1)、在真空负压室中，用中频感应炉升温≥1850℃，把原料化学级硅熔融，除去铝、硼、磷、硫、碳及其它杂质；2)、采用惰性气体保护在硅熔液中通入1∶(1.1～1.5)氢气和水蒸汽，搅拌精炼≥2小时，使其它元素高温汽化后倒入凝固器；3)、在真空负压室进行从下往上的定向凝固，除去铁及其它重金属；4)、慢速降温至常温，得光电级硅。
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