[发明专利]电光装置及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 03149363.7 | 申请日： | 1999-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1480914A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 村出正夫 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30;G02F1/136;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种电光装置，其特征在于：具有象素电极，与薄膜晶体管对应设置；蓄积电容，与该象素电极连接；第1蓄积电容电极，形成于上述薄膜晶体管的半导体层的漏区域侧；第2蓄积电容电极，与上述薄膜晶体管的栅极在同一层上形成、与上述第1蓄积电容电极相对；遮光性导电膜，为上述第2蓄积电容电极之上层，与上述半导体层的漏区电连接；和象素电极，为上述遮光性的导电膜之上层，与上述遮光性的导电膜电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 装置 及其 制造 方法 电子 | ||
【主权项】：
1.一种电光装置，其特征在于：具有象素电极，与薄膜晶体管对应设置；蓄积电容，与该象素电极连接；第1蓄积电容电极，形成于上述薄膜晶体管的半导体层的漏区域侧；第2蓄积电容电极，与上述薄膜晶体管的栅极在同一层上形成、与上述第1蓄积电容电极相对；遮光性导电膜，为上述第2蓄积电容电极之上层，与上述半导体层的漏区电连接；和象素电极，为上述遮光性的导电膜之上层，与上述遮光性的导电膜电连接。
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