[发明专利]高绝缘度的开关电容结构有效
| 申请号： | 03149296.7 | 申请日： | 2003-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1482741A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | C·米哈尔斯基 | 申请（专利权）人： | 模拟设备股份有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/08 | 分类号： | H03M1/08;H03M1/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供开关电容结构(40)，因为这些结构能增加结构元件之间的绝缘度以及保证所选元件在一种模式时能可靠地截止，而在另一种模式时能快速地导通，就能够减少处理过的信号中的失真和噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 开关 电容 结构 | ||
【主权项】：
1、一种按采样模式和转移模式工作的开关电容级，其特征在于，所述开关电容级包括：第一个和第二个采样开关(42，44)；缓冲晶体管(46)，含有控制端(47)，连接到所述第一个采样开关，并含有一个电流端(48)；一个采样电容，连接在所述电流端和第二个采样开关之间，由此，当所述第一个和第二个采样开关在所述采样模式闭合时，接收采样电荷Qs；及第一个和第二个转移开关(62，64)，分别连接到所述控制端和所述电流端，消除所述缓冲晶体管的偏置，并且当所述第一个和第二个转移开关在所述转移模式闭合时，至少转移来自所述采样电容的一部分所述采样电荷Qs。
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