[发明专利]半导体器件的制造方法和系统有效
| 申请号： | 03148325.9 | 申请日： | 2003-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1495853A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | C·P·陶西;P·梅 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/00;B81C1/00;B81C5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明包括一种用来制造半导体器件的方法和系统。本发明涉及到利用印模工具来产生三维抗蚀剂结构，从而能够在单个模制步骤中将薄膜图形化台阶转移到抗蚀剂，并随后在稍后的加工步骤中被显露。因此，能够以印模工具被制造时的精度来确定各个相继图形化步骤之间的对准，而不管制造过程中可能发生的膨胀或收缩。本发明的用来制造半导体器件的方法包括提供衬底[410]、在衬底[410]上淀积第一材料层[415]、以及在衬底[410]上形成三维(3D)抗蚀剂结构[420]，其中的三维抗蚀剂结构[420]在整个结构[420]中包括多个不同的垂直高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用来制造半导体器件的方法，包括：提供衬底[410]；在衬底[410]上淀积第一材料层[415]；以及在衬底[410]上形成三维(3D)抗蚀剂结构[420]，其中三维抗蚀剂结构[420]在整个结构[420]中包括多个不同的垂直高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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