[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 03147703.8 | 申请日： | 2003-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1469492A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 铃木浩司 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/461 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 用于将栅极电极蚀刻为具有斜面形状的SF6/O2，因电极材料层与其底层的栅极绝缘膜的选择比不佳，导致栅极绝缘膜亦受到蚀刻。结果，导致栅极绝缘膜的残膜量不均且所制造的薄膜晶体管的动作特性不稳定等问题。亦有不易控制该斜面形状的问题。完成电极材料叠层后，在第一蚀刻步骤中以SF6/O2作为蚀刻气体而蚀刻栅极电极材料直到底层的栅极绝缘膜露出为止。接着在第二蚀刻步骤中以选择比良好的C12/O2作为蚀刻气体，而在使保护膜灰化的同时蚀刻残余的栅极电极材料。使用ICP装置时，在第一蚀刻步骤中，只使用电感等离子体源进行蚀刻，而在第二蚀刻步骤中，使用电感等离子体源和偏压等离子体源进行蚀刻。通过该种方法，可以高精确度地控制斜面形状。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，具备：基板；配设于所述基板上的半导体膜；覆盖所述半导体膜的栅极绝缘膜；配设于所述栅极绝缘膜上的栅极电极；及覆盖栅极电极的层间绝缘膜，其特征在于：所述栅极电极的剖面是通过使用包含氟的气体或包含氟和氧的混合气体的蚀刻、及使用包含氯和氧的混合气体的蚀刻所形成的，并形成由所述层间绝缘膜朝向所述栅极绝缘膜方向展开的斜面形状。
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