[发明专利]IR烧蚀用层压体无效
| 申请号： | 03147654.6 | 申请日： | 2003-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1472597A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 和田通;本井庆一;小木浩二;田中真知子 | 申请（专利权）人： | 东洋纺织株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种IR烧蚀用层压体，至少具有基材及IR烧蚀层，其特征在于：上述烧蚀层包括IR吸收性金属层。并且通过在该层压体上设置防粘连层及脱模层，而使制版性及使用性良好。该IR烧蚀用层压体，可得到比现行高档次的印刷图像、减少显影液的污染、并且可应用到各种感光性树脂层。 | ||
| 搜索关键词： | ir 烧蚀用 层压 | ||
【主权项】：
1.一种IR烧蚀用层压体，至少具有基材及IR烧蚀层，其特征在于：上述烧蚀层包括IR吸收性金属层。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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