[发明专利]基板的镀膜方法及镀膜装置无效
| 申请号： | 03147542.6 | 申请日： | 2003-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1480988A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 平尾秀司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板的镀膜方法及镀膜装置，在镀液(106)中，通过高速旋转基板(101)去除吸附在基板(101)被镀面的Cu籽晶膜(104)表面上的气泡(105)。然后，在镀液(106)中，通过低速旋转基板(101)在Cu籽晶膜(104)上生长镀Cu膜(107)。由此可防止在镀膜中因被镀面吸附的气泡而产生的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 镀膜 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板镀膜方法，通过将基板的被镀面朝下浸渍在镀液中，对所述基板进行镀膜处理，其特征在于，具有如下处理工序：在所述镀液中，通过按第1旋转速度旋转所述基板，去除所述基板所吸气泡的工序；在所述气泡去除工序之后，在所述镀液中，通过按比第1旋转速度低的第2旋转速度旋转所述基板，对所述基板进行镀膜处理的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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