[发明专利]用于实现光波导材料制备的方法无效
| 申请号： | 03147258.3 | 申请日： | 2003-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1570685A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 李健;郜定山;安俊明;李建光;王红杰;胡雄伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/136 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于实现光波导材料制备的方法，包括如下保证：(1)在硅衬底上用阳极氧化方法生成一层多孔硅；(2)在多孔硅层上用火焰水解法生成一层高掺杂的二氧化硅粉末；(3)对材料进行高温退火，退火后得到折射率渐变的平面波导材料；(4)根据器件设计，刻蚀出所需的波导结构；(5)根据需要生长上包层结构，整个波导制备完毕。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 实现 波导 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于实现光波导材料制备的方法，其特征在于，包括如下保证：(1)在硅衬底上用阳极氧化方法生成一层多孔硅；(2)在多孔硅层上用火焰水解法生成一层高掺杂的二氧化硅粉末；(3)对材料进行高温退火，退火后得到折射率渐变的平面波导材料；(4)根据器件设计，刻蚀出所需的波导结构；(5)根据需要生长上包层结构，整个波导制备完毕。
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