[发明专利]发光二极管阵列无效
| 申请号： | 03143017.1 | 申请日： | 2003-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN1527642A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 行本富久 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/00 | 分类号： | H05B33/00;H01L33/00;B41J2/45 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴邦基 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种仅抑制无助于发光的巡回电流路径中的电流并增大发光输出功率并且能够在低电压下工作的发光二极管阵列。其特征在于，其具有在基片上生长的导电层、在上述导电层上形成的各自独立的多个发光部、在各发光部上表面的一部分上形成的第一电极、以及在上述导电层上接近上述发光部形成的第二电极，上述第二电极是使多个上述发光部工作的共同电极，上述导电层中仅留下通往上述发光部的电流路径的区域并除去了相邻的发光部之间的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管阵列，其特征在于，具有在基片上生长的导电层、在上述导电层上形成的各自独立的多个发光部、在各发光部上表面的一部分形成的第一电极、以及在上述导电层上接近上述发光部形成的第二电极，上述第二电极是使多个上述发光部工作的共同电极，上述导电层中仅留下通往上述发光部的电流路径的区域并除去相邻的发光部之间的区域。
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