[发明专利]薄膜晶体管阵列基板结构

摘要

本发明是关于一种薄膜晶体管阵列基板结构，其主要是由一透明基板、多个薄膜晶体管、多个扫描配线、多个资料配线、一层或是多层的含氢介电层，以及一图案化导电层所构成。其中，薄膜晶体管是配置于透明基板上，含氢介电层是配置于透明基板上，并覆盖住上述的薄膜晶体管，而图案化导体层则是配置于含氢介电层上。每一个薄膜晶体管皆包含了闸极、源极/汲极三个端子，闸极是与扫描配线电性连接，而源极/汲极是与资料配线以及图案化导体层电性连接。本发明在闸极金属层与其上方的金属层间配置一层或是多层含氢介电层，藉由含氢介电层中的氢原子对闸极绝缘层进行修补，进而可增进组件的效能，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。

主权项

1、一种薄膜晶体管阵列基板结构，其特征在于其包括：一透明基板；复数个薄膜晶体管，该些薄膜晶体管配置于该透明基板上，其中每一该些薄膜晶体管包括一闸极与一源极/汲极；复数个扫描配线，配置于该透明基板上，且该些扫描配线与该些闸极连接；复数个资料配线，配置于该透明基板上，且该些资料配线与该些源极/汲极电性连接；至少一含氢介电层，该含氢介电层配置于该透明基板上，并覆盖住该些薄膜晶体管；以及一图案化导体层，该图案化导体层配置于该含氢介电层上，且该图案化导体层是与该些源极/汲极电性连接。