[发明专利]适用于NPN正反馈器件限流的具有NPN控制器件结构的双极互补金属氧化物半导体锁存器

摘要

所披露锁存器结构(20)和系统(60)能够提高锁存的速度以及提供互补金属氧化物半导体电平的锁存信号。锁存器结构(20)和系统(60)的实现采用了排列成能增强正反馈信号和长生CMOS电平锁存信号的双极结型结构(31，32，50，51)和CMOS结构(27，28，35，36，46)。

主权项

1.根据锁存命令信号从采集模式转换到锁存模式的锁存器，其特征在于，该锁存器包括：交叉耦合的第一和第二绝缘晶体管(27，28)，它们具有第一和第二电流端(37，38)，并且所耦合的第一电流端用于接受差分输入信号；交叉耦合的第一和第二锁存晶体管(31，32)，它们具有集电极(39)；至少一个开关(43，44)相耦合，它们用于响应所述锁存命令信号向所述第一电流端提供电流；第一和第二限流晶体管(35，36)，各自耦合在所述第二电流端中的一端和所述集电极的一端之间，并且各自响应所对应的一个控制信号Scntrl提供从采集阻抗转换到较大锁存阻抗的阻抗；以及，第一和第二控制晶体管(50，51)，各自响应耦合在限流晶体管的所述一个集电极向所述一个限流晶体管提供一个所述控制信号Scutrl。