[发明专利]多晶硅薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 03142882.7 | 申请日： | 2003-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1567534A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 张茂益 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅薄膜的制造方法，该方法是利用一般多晶硅层形成时表面突起具有不同高度的现象，利用部分高度较高的突起产生晶种，使用于接下来的结晶化步骤中，因此能够使新形成的多晶硅薄膜具有大小均匀且颗粒较大的晶粒，并具有数量与密度较少的突起，进而具有较佳的表面平坦度。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜的制造方法，其特征是，该方法包含下列步骤：在一基底上形成一第一固态硅层，其中该第一固态硅层上具有不同高度的复数个第一突起，并且该些第一突起的顶端与该基底表面的最大距离为X1，该些第一突起的顶端与该基底表面的最小距离为Y1；对该第一固态硅层进行一流体化步骤，使厚度为Z1的该第一固态硅层部分成为流体，且Y1＜Z1＜X1，其中顶端与该基底表面的距离大于Z1的一部分该些第一突起区域并未完全流体化，而形成复数个硅微粒；以及以该些硅微粒作为晶种，进行一结晶工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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