[发明专利]光电转换元件无效
| 申请号： | 03141214.9 | 申请日： | 2003-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1469494A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 保野笃司 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在具有由硅系非单晶半导体材料构成的pn或pin结构的多个单位元件进行叠层光电转换元件中，提供在多个单位元件间的p/n界面附近，氧原子浓度和/或碳原子浓度有极大值的峰的光电转换元件。因此提供使p/n界面的结构稳定，提高界面特性及膜粘附性，光电转换效率高的光电转换元件。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 | ||
【主权项】：
1.光电转换元件，其特征在于在具有由硅系非单晶半导体材料构成的pn或pin结构的多个单位元件叠层的光电转换元件中，在前述多个单位元件间的p/n界面附近，氧原子浓度有极大值的峰。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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